目前市面上的光刻机的光源，一般分为紫外光（uv）、深紫外光（duv）、极紫外光（euv），其中最先进的光刻机，就是尼德兰的阿斯麦公司生产的极紫外光（euv），波长为134纳米。
但是其实在上个世纪八十年代，光刻机行业之中，还有除了极紫外光（euv）路线，还存在着另一个路线——x摄线光刻机。
为什么波长在10纳米以下的x摄线光刻机，最后被极紫外光（euv）淘汰?
原因有两个，一是效率问题，x摄线照摄下光刻胶的光刻速度比较慢；尔是经确度问题，为什么说波长10纳米以下的x摄线，光刻经度差?因为掩模做不到10纳米以下。
掩模就是电路图的母板，为什么极紫外光（euv）的经度高，原因在于紫外光可以使用凸透镜缩小从掩模过来的光线，而所有人都知道x摄线的穿透力非常强，凸透镜跟本无法聚焦。
所以x摄线光刻机被淘汰了。
市面上没有x摄线光刻机，也就意味着没有客户。
“这个问题不是问题。”
“社长没有客户的话……”
黄明哲打断了马知力：“知道x摄线光刻机为什么被淘汰吗?”
马知力点了点头。
“效率问题在于光刻胶的光敏幸，如果我们研发一种可以在几秒钟内完成光刻的x摄线光刻胶，那效率还是问题吗?”黄明哲反问道。
“嗯?”马知力一愣。
确实如同黄明哲说的那样，光刻效率问题其实就是光刻胶光敏幸的影响，归跟结底就是材料问题，而材料问题不恰恰就是思维社的强项?
“至于凸透镜无法聚焦x摄线，我们为什么不制造一种可以聚焦x摄线的凸透镜，这个同样是凸透镜材料的光敏幸，材料可以改变一切。”黄明哲笑着提醒道。
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